Leistungshalbleiterschalter in Stromversorgungen und Umrichtern werden von zwei Technologien bestimmt: MOSFETs und IGBTs. MOSFETs können mit relativ hohen Schaltfrequenzen deutlich oberhalb von 30 kHz betrieben werden, weisen aber im Gegensatz zu IGBTs sehr große Chipflächen auf. Eine neue Generation von IGBT-Modulen von Infineon Technologies arbeitet mit Taktfrequenzen von bis zu 100 kHz. Leitungsgebundene Verluste beziehungsweise Ausschaltverluste halten sich bei beiden Systemen die Waage. Schnelle IGBTs mit ihrer deutlich geringeren Fertigungskomplexität und vielfach kleineren Chipflächen als Superjunction-MOSFETs ermöglichen eine IGBT3-Technologie mit hohen Schaltfrequenzen zu einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis.

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