Fachartikel aus MECHATRONIK 5/2001, S. 19 bis 20

Neue MosFET-Gehäuse verbessern Stromdichte

Einerseits fordern neue Mikrocontroller von den Leistungshalbleitern, mit höheren Strömen fertig zu werden, andererseits kommt es in mobilen Anwendungen zunehmend auf kleinste RDS(ON) -Werte und geringsten Flächenbedarf der Bausteine an. Eine Lösung bringen moderne Packaging-Methoden.