Fachartikel vom 08/07/2012
Neue PowerTrench-Power-MOSFETs
PowerTrench-MOSFETs ermöglichen höhere Leistungsdichte
Eine neue PowerTrench-Power-MOSFETs-Familie kombiniert kleinere QSYNCH-Werte und eine Body-Diode mit Soft-Reverse-Recovery-Eigenschaften mit hoher Schaltgeschwindigkeit, um einen höheren Wirkungsgrad in asynchronen Gleichrichtungsanwendungen zu gewährleisten. Durch eine Reduzierung der Gate-Ladung und der in der Ausgangskapazität gespeicherten Energie werden die Verluste durch die Ansteuerung und die Ausgangskapazität reduziert und somit der Schalt-Wirkungsgrad erhöht.
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| Power-MOSFET-Signale bei synchroner Gleichrichtung (Bild: Fairchild) |
Beim Umstieg von einem Papier-basierenden auf ein digitales Informationsmanagement spielen Datenzentren für die Datenverarbeitung, Speicherung und Vernetzung in Unternehmen, Forschungseinrichtungen und Behörden eine immer wichtigere Rolle. Allerdings verursacht die Energieversorgung und Kühlung dieser Datenzentren stetig steigende Kosten.
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